生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.75 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | LOW NOISE |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 0.44 A |
基于收集器的最大容量: | 4 pF | 集电极-发射极最大电压: | 16 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 20 |
最高频带: | X BAND | JESD-30 代码: | R-CDFM-F2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
NE24600 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 250MA I(C) | CHIP |
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NE24615 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 250MA I(C) | TO-33 |
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NE24620 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 250MA I(C) | STX-M3 |
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NE25118 | NEC | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
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NE25118-T1 | NEC | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
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NE25137 | NEC | GENERAL PURPOSE DUAL GATE GAAS MESFET |
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