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NE25137L

更新时间： 2024-02-13 02:31:19

品牌	Logo	应用领域
CEL		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	191K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, CASE 37, 4 PIN

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NE25137L 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	CASE 37, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.7
其他特性：	LOW NOISE	配置：	SINGLE
最大漏极电流 (ID)：	0.04 A	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	0.03 pF	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRDB-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DUAL GATE, DEPLETION MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	16 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

NE25137L 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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