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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.25 A |
| 基于收集器的最大容量： | 2.5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JEDEC-95代码： | TO-33 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 2800 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NE24620 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 250MA I(C) | STX-M3 |
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| NE25118 | NEC | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
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| NE25118-T1 | NEC | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
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| NE25137 | NEC | GENERAL PURPOSE DUAL GATE GAAS MESFET |
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| NE25137 | CEL | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars |
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| NE25137L | CEL | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars |
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