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| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.40 |
| 风险等级： | 5.13 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.25 A | 基于收集器的最大容量： | 2.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-XUUC-N2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4500 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NE24615 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 250MA I(C) | TO-33 |
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| NE24620 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 250MA I(C) | STX-M3 |
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| NE25118 | NEC | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
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| NE25118-T1 | NEC | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
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| NE25137 | NEC | GENERAL PURPOSE DUAL GATE GAAS MESFET |
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| NE25137 | CEL | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars |
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