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NE243188

更新时间： 2024-02-05 08:02:09

品牌	Logo	应用领域
CEL		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	132K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, NPN

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NE243188 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.11 A
基于收集器的最大容量：	1 pF	集电极-发射极最大电压：	16 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	X BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NE243188 数据手册

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