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NE243287

更新时间： 2024-01-25 17:03:36

品牌	Logo	应用领域
CEL		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	132K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, NPN

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NE243287 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-F2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.65
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.22 A	基于收集器的最大容量：	1.5 pF
集电极-发射极最大电压：	16 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高频带：	X BAND
JESD-30 代码：	R-CDSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NE243287 数据手册

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