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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-22 |
| 针数： | 22 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.89 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 250 ns | JESD-30 代码： | R-CDIP-T22 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1024 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 22 | 字数： | 256 words |
| 字数代码： | 256 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256X4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP22,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5/10 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.016 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 10.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 10 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| CDP1822DX | RENESAS | IC,SRAM,256X4,CMOS,DIP,22PIN,CERAMIC |
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| CDP1822E | INTERSIL | 256-Word x 4-Bit LSI Static RAM |
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| CDP1822E | RENESAS | 256X4 STANDARD SRAM, 250ns, PDIP22 |
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| CDP1822EX | INTERSIL | 256-Word x 4-Bit LSI Static RAM |
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| CDP1822EX | RENESAS | 256X4 STANDARD SRAM, 250ns, PDIP22 |
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| CDP1823 | INTERSIL | 128-Word x 8-Bit LSI Static RAM |
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