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CBRHDSH1-100BKTIN/LEAD

更新时间： 2024-11-11 13:02:15

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CENTRAL		整流二极管桥式整流二极管光电二极管
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描述
Bridge Rectifier Diode, Schottky, 1A, 100V V(RRM),

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CBRHDSH1-100BKTIN/LEAD 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.86
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.7 V	最大非重复峰值正向电流：	20 A
元件数量：	4	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	1 A	最大重复峰值反向电压：	100 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	Base Number Matches：	1

CBRHDSH1-100BKTIN/LEAD 数据手册

CBRHDSH1-100

SURFACE MOUNT

HIGH DENSITY

1 AMP SILICON

www.centralsemi.com

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBRHDSH1-100

is a full wave bridge rectifier in a durable epoxy surface

mount molded case, designed for low voltage full wave

rectification applications. The molding compound used

in this device has UL flammability classification 94V-O.

MARKING CODE: CSH110

SCHOTTKY BRIDGE RECTIFIER

FEATURES:

• Low Leakage Current (100nA TYP @ V

)

RRM

• Low Forward Voltage Drop Schottky Diodes

• High 1.0A Current Rating

HD DIP CASE

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

UNITS

Peak Repetitive Reverse Voltage

100

RRM

DC Blocking Voltage

100

RMS Reverse Voltage

R(RMS)

Average Forward Current

Peak Forward Surge Current

Power Dissipation

1.0

FSM

1.2

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

-50 to +125

-50 to +150

°C

°C/W

stg

Thermal Resistance

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

V =100V

MIN

TYP

MAX

UNITS

µA

0.1

V =100V, T =100°C

I =150µA

100

I =500mA

650

700

230

700

750

I =1.0A

V =4.0V, f=1.0MHz

R3 (4-January 2010)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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