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CBRHDSH1-90

更新时间： 2024-11-11 12:55:51
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 整流二极管桥式整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 871K
描述
SURFACE MOUNT HIGH DENSITY 1 AMP SILICON SCHOTTKY BRIDGE RECTIFIER

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CBRHDSH1-90 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.84
Is Samacsys：N配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：20 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：1.2 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：90 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

CBRHDSH1-90 数据手册

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CBRHDSH1-100  
SURFACE MOUNT  
HIGH DENSITY  
1 AMP SILICON  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBRHDSH1-100  
is a full wave bridge rectifier in a durable epoxy surface  
mount molded case, designed for low voltage full wave  
rectification applications. The molding compound used  
in this device has UL flammability classification 94V-O.  
MARKING CODE: CSH110  
SCHOTTKY BRIDGE RECTIFIER  
FEATURES:  
• Low Leakage Current (40nA TYP @ V  
)
RRM  
• Low Forward Voltage Drop Schottky Diodes  
HD DIP CASE  
• High 1.0A Current Rating  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
100  
V
RRM  
V
100  
V
V
R
RMS Reverse Voltage  
V
71  
R(RMS)  
Average Forward Current  
Peak Forward Surge Current  
Power Dissipation  
I
1.0  
20  
A
O
I
A
FSM  
P
1.2  
W
D
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
T
-50 to +125  
-55 to +150  
85  
°C  
°C  
°C/W  
J
T
stg  
Thermal Resistance  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
V =100V  
MIN  
TYP  
0.04  
MAX  
UNITS  
μA  
I
I
I
10  
R
R
R
R
V =100V, T =50°C  
1.0  
20  
mA  
mA  
V
R
A
V =100V, T =100°C  
R
A
BV  
I =150μA  
100  
R
R
V
V
I =500mA  
615  
690  
230  
700  
750  
mV  
mV  
pF  
F
F
I =1.0A  
F
F
C
V =4.0V, f=1.0MHz  
J
R
R6 (22-May 2012)  
123

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