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CBR2A-080TIN/LEAD

更新时间: 2024-09-17 12:59:23
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1页 66K
描述
Bridge Rectifier Diode,

CBR2A-080TIN/LEAD 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.65最小击穿电压:800 V
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:50 A元件数量:4
相数:1最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:2 A
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压:800 V
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

CBR2A-080TIN/LEAD 数据手册

  
Bridge Rectifiers, Controlled Avalanche*  
Single Phase, Full Wave  
1.5 to 35 Amperes  
200 to 800 Volts  
I
(AMPS)  
1.5  
2.0  
3.0  
6.0  
10  
O
@T (oC)  
50  
55  
2.0 @ 25  
50  
A
@T (oC)  
C
3.0 @ 50  
50  
100  
150  
100  
150  
I
(AMPS)  
60  
FSM  
CASE  
(VOLTS)  
CASE A  
CASE C  
CASE CM  
V
RRM  
200  
CBR1A-020  
CBR1A-040  
CBR1A-060  
CBR1A-080  
CBR2A-020  
CBR2A-040  
CBR2A-060  
CBR2A-080  
CBR3A-P020  
CBR3A-P040  
CBR3A-P060  
CBR3A-P080  
CBR6A-020  
CBR6A-040  
CBR6A-060  
CBR6A-080  
CBR10A-J020  
CBR10A-J040  
CBR10A-J060  
CBR10A-J080  
400  
600  
800  
V
MAX @ I  
1.0V @ 1.0A  
1.1V @ 2.0A  
1.1V @ 1.5A  
1.1V @ 3.0A  
1.2V @ 5.0A  
F
F
I
MAX @ V  
10µA  
10µA  
10µA  
10µA  
10µA  
R
RRM  
*AVALANCHE BREAKDOWN VOLTAGE  
V
MIN  
MAX  
RRM  
200V  
400V  
600V  
800V  
250  
450  
650  
850  
700  
900  
1100  
1300  
175  
www.centralsemi.com  

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