是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SOIC-8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | Factory Lead Time: | 6 weeks |
风险等级: | 1.58 | 最大时钟频率 (fCLK): | 10 MHz |
数据保留时间-最小值: | 100 | 耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 4.9 mm | 内存密度: | 131072 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 16384 words |
字数代码: | 16000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 16KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3/5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | AEC-Q100 | 座面最大高度: | 1.75 mm |
串行总线类型: | SPI | 最大待机电流: | 0.000003 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.002 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 3.9 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms | 写保护: | HARDWARE/SOFTWARE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
AT25128AN-10SU-2.7 | ATMEL |
功能相似 |
SPI Serial EEPROMs | |
AT25128AN-10SI-2.7 | ATMEL |
功能相似 |
SPI Serial EEPROMs |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAV25128YE-GT3 | ONSEMI |
获取价格 |
EEPROM Serial 128-Kb SPI | |
CAV25160 | ONSEMI |
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8-Kb and 16-Kb SPI Serial CMOS EEPROM | |
CAV25160VE-GT3 | ONSEMI |
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EEPROM Serial 8/16-Kb SPI | |
CAV25160YE-GT3 | ONSEMI |
获取价格 |
EEPROM Serial 8/16-Kb SPI | |
CAV25256 | ONSEMI |
获取价格 |
SPI Serial CMOS EEPROM | |
CAV25256VE-GT3 | ONSEMI |
获取价格 |
SPI Serial CMOS EEPROM | |
CAV25256YE-GT3 | ONSEMI |
获取价格 |
SPI Serial CMOS EEPROM | |
CAV25320 | ONSEMI |
获取价格 |
32-Kb SPI Serial CMOS EEPROM | |
CAV25320VE.GT3 | ONSEMI |
获取价格 |
32-Kb SPI Serial CMOS EEPROM | |
CAV25320VE-GT3 | ONSEMI |
获取价格 |
EEPROM 串行 32-Kb SPI - 汽车级 |