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CAT24C44W

更新时间： 2024-10-28 12:54:35

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	61K
描述
256-Bit Serial Nonvolatile CMOS Static RAM

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CAT24C44W 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP,
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.39	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	375 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	长度：	4.9 mm
内存密度：	256 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	16 words
字数代码：	16	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16X16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	3.9 mm	Base Number Matches：	1

CAT24C44W 数据手册

CAT24C44

256-Bit Serial Nonvolatile CMOS Static RAM

FEATURES

■ Single 5V Supply

■ JEDEC Standard Pinouts:

–8-lead DIP

■ Infinite EEPROM to RAM Recall

■ CMOS and TTL Compatible I/O

–8-lead SOIC

■ 100,000 Program/Erase Cycles (EEPROM)

■ Auto Recall on Power-up

■ Low CMOS Power Consumption:

–Active: 3mA Max.

–Standby: 30µA Max.

■ Commercial, Industrial and Automotive

Temperature Ranges

■ Power Up/Down Protection

■ 10 Year Data Retention

DESCRIPTION

store protection circuitry prohibits STORE operations

when V_CCis less than 3.5V (typical) ensuring EEPROM

data integrity.

The CAT24C44 Serial NVRAM is a 256-bit nonvolatile

memory organized as 16 words x 16 bits. The high

speed Static RAM array is bit for bit backed up by a

nonvolatile EEPROM array which allows for easy trans-

fer of data from RAM array to EEPROM (STORE) and

from EEPROM to RAM (RECALL). STORE operations

are completed in 10ms max. and RECALL operations

typically within 1.5µs. The CAT24C44 features unlim-

ited RAM write operations either through external RAM

writes or internal recalls from EEPROM. Internal false

The CAT24C44 is manufactured using Catalyst’s ad-

vancedCMOSfloatinggatetechnology.Itisdesignedto

endure 100,000 program/erase cycles (EEPROM) and

has a data retention of 10 years. The device is available

in JEDEC approved 8-lead plastic DIP and SOIC

packages.

PIN CONFIGURATION

PIN FUNCTIONS

Pin Name

Function

Serial Clock

Serial Input

Serial Data Output

Chip Enable

Recall

DIP Package (L)

SOIC Package ( V)

STORE

STORE SK

RECALL DI

RECALL

STORE

V_CC

Store

+5V

V_SS

Ground

Characteristics subject to change without notice

Doc. No. MD-1083, Rev. T

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CAT24C44WA	CATALYST	获取价格	Non-Volatile SRAM, 16X16, 375ns, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8
CAT24C44WA-TE13	CATALYST	获取价格	暂无描述
CAT24C44WI	CATALYST	获取价格	Non-Volatile SRAM, 16X16, 375ns, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8
CAT24C44WI-TE13	CATALYST	获取价格	Non-Volatile SRAM, 16X16, 375ns, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8
CAT24C44W-TE13	ONSEMI	获取价格	16X16 NON-VOLATILE SRAM, 375ns, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8
CAT24C44W-TE13	CATALYST	获取价格	Non-Volatile SRAM, 16X16, 375ns, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8
CAT24C512	ONSEMI	获取价格	512 kb I2C CMOS Serial EEPROM 128?Byte Page Write Buffer
CAT24C512_1111	ONSEMI	获取价格	512 kb I2C CMOS Serial EEPROM
CAT24C512_12	ONSEMI	获取价格	512 kb I2C CMOS Serial EPROM
CAT24C512C8ATR	ONSEMI	获取价格	I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM

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