是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | PDIP-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.74 | 最大时钟频率 (fCLK): | 1 MHz |
数据保留时间-最小值: | 100 | 耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节: | 1010DDDR | JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 |
长度: | 9.27 mm | 内存密度: | 524288 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 64KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP8,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3/5 V | 认证状态: | Not Qualified |
反向引出线: | NO | 座面最大高度: | 5.33 mm |
串行总线类型: | I2C | 最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.0025 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms |
写保护: | HARDWARE |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAT24C512LI-G | ONSEMI |
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512 kb I2C CMOS Serial EEPROM 128?Byte Page Write Buffer | |
CAT24C512WE-GT3 | ONSEMI |
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512 kb I2C CMOS Serial EPROM | |
CAT24C512WI-G | ONSEMI |
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IC EEPROM 512KBIT 1MHZ 8SOIC | |
CAT24C512WI-GT3 | ONSEMI |
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512 kb I2C CMOS Serial EEPROM 128?Byte Page Write Buffer | |
CAT24C512XE-T2 | ONSEMI |
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512 kb I2C CMOS Serial EPROM | |
CAT24C512XI-T2 | ONSEMI |
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512 kb I2C CMOS Serial EEPROM 128?Byte Page Write Buffer | |
CAT24C512YE-GT3 | ONSEMI |
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512 kb I2C CMOS Serial EPROM | |
CAT24C512YI-GT3 | ONSEMI |
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512 kb I2C CMOS Serial EEPROM 128?Byte Page Write Buffer | |
CAT24C512ZI-T3 | ONSEMI |
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512 kb I2C CMOS Serial EPROM | |
CAT24C64 | ONSEMI |
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64 kb I2C CMOS Serial EEPROM |