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C3D10065A_15

更新时间： 2024-10-30 01:24:19
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Silicon Carbide Schottky Diode

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C3D10065A  
VRRM  
=
650 V  
Silicon Carbide Schottky Diode  
IF (TC=135˚C)  
=
14.5 A  
®
Z-Rec Rectifier  
Qcꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ=ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ24ꢀnC  
Features  
Package  
•ꢀ 650-VolꢁꢀSꢂhoꢁꢁkyꢀRꢃꢂꢁꢄfiꢃꢅ  
•ꢀ ZꢃꢅoꢀRꢃvꢃꢅsꢃꢀRꢃꢂovꢃꢅyꢀCuꢅꢅꢃnꢁ  
•ꢀ ZꢃꢅoꢀFoꢅwaꢅdꢀRꢃꢂovꢃꢅyꢀVolꢁagꢃ  
•ꢀ Hꢄgh-FꢅꢃquꢃnꢂyꢀOpꢃꢅaꢁꢄon  
•ꢀ Tꢃmpꢃꢅaꢁuꢅꢃ-IndꢃpꢃndꢃnꢁꢀSwꢄꢁꢂhꢄngꢀBꢃhavꢄoꢅ  
•ꢀ ExꢁꢅꢃmꢃlyꢀFasꢁꢀSwꢄꢁꢂhꢄng  
•ꢀ PosꢄꢁꢄvꢃꢀTꢃmpꢃꢅaꢁuꢅꢃꢀCoꢃꢆfiꢂꢄꢃnꢁꢀonꢀVF  
ꢀꢀꢀꢀTO-220-2ꢀ  
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ  
Benefits  
•ꢀ RꢃplaꢂꢃꢀBꢄpolaꢅꢀwꢄꢁhꢀUnꢄpolaꢅꢀRꢃꢂꢁꢄfiꢃꢅs  
•ꢀ EssꢃnꢁꢄallyꢀNoꢀSwꢄꢁꢂhꢄngꢀLossꢃs  
•ꢀ HꢄghꢃꢅꢀEꢆfiꢂꢄꢃnꢂy  
•ꢀ RꢃduꢂꢁꢄonꢀoꢆꢀHꢃaꢁꢀSꢄnkꢀRꢃquꢄꢅꢃmꢃnꢁs  
•ꢀ PaꢅallꢃlꢀDꢃvꢄꢂꢃsꢀWꢄꢁhouꢁꢀThꢃꢅmalꢀRunaway  
PIN 1  
PIN 2  
CASE  
Applications  
Part Number  
C3D10065A  
Package  
Marking  
•ꢀ SwꢄꢁꢂhꢀModꢃꢀPowꢃꢅꢀSupplꢄꢃsꢀ  
•ꢀ PowꢃꢅꢀFaꢂꢁoꢅꢀCoꢅꢅꢃꢂꢁꢄon  
•ꢀ MoꢁoꢅꢀDꢅꢄvꢃs  
ꢀ
TO-220-2  
C3D10065  
Maximum Ratings (TCꢀ=ꢀ25ꢀ˚Cꢀunlꢃssꢀoꢁhꢃꢅwꢄsꢃꢀspꢃꢂꢄfiꢃd)  
Symbol  
VRRM  
Parameter  
RꢃpꢃꢁꢄꢁꢄvꢃꢀPꢃakꢀRꢃvꢃꢅsꢃꢀVolꢁagꢃ  
SuꢅgꢃꢀPꢃakꢀRꢃvꢃꢅsꢃꢀVolꢁagꢃ  
DCꢀBloꢂkꢄngꢀVolꢁagꢃ  
Value  
650  
Unit  
Test Conditions  
Note  
V
V
V
VRSM  
650  
VDC  
650  
30  
14.5  
10  
TC=25˚C  
TC=135˚C  
TC=153˚C  
IF  
ConꢁꢄnuousꢀFoꢅwaꢅdꢀCuꢅꢅꢃnꢁ  
A
Fꢄg.ꢀ3  
46  
31  
TC=25˚C,ꢀꢁP =ꢀ10ꢀms,ꢀHalꢆꢀSꢄnꢃꢀWavꢃ  
TC=110˚C,ꢀꢁP=10ꢀms,ꢀHalꢆꢀSꢄnꢃꢀWavꢃ  
IFRM  
IFSM  
IF,Max  
Ptot  
RꢃpꢃꢁꢄꢁꢄvꢃꢀPꢃakꢀFoꢅwaꢅdꢀSuꢅgꢃꢀCuꢅꢅꢃnꢁ  
Non-RꢃpꢃꢁꢄꢁꢄvꢃꢀPꢃakꢀFoꢅwaꢅdꢀSuꢅgꢃꢀCuꢅꢅꢃnꢁ  
Non-RꢃpꢃꢁꢄꢁꢄvꢃꢀPꢃakꢀFoꢅwaꢅdꢀSuꢅgꢃꢀCuꢅꢅꢃnꢁ  
PowꢃꢅꢀDꢄssꢄpaꢁꢄon  
A
A
90  
71  
TC=25˚C,ꢀꢁpꢀ=ꢀ10ꢀms,ꢀHalꢆꢀSꢄnꢃꢀWavꢃ  
TC=110˚C,ꢀꢁpꢀ=ꢀ10ꢀms,ꢀHalꢆꢀSꢄnꢃꢀWavꢃ  
Fꢄg.ꢀ8  
Fꢄg.ꢀ8  
Fꢄg.ꢀ4  
860  
680  
TC=25˚C,ꢀꢁP =ꢀ10ꢀµs,ꢀPulsꢃ  
TC=110˚C,ꢀꢁP =ꢀ10ꢀµs,ꢀPulsꢃ  
A
136.5  
59  
TC=25˚C  
TC=110˚C  
W
˚C  
-55 to  
+175  
T ꢀ,ꢀTsꢁg  
OpꢃꢅaꢁꢄngꢀJunꢂꢁꢄonꢀandꢀSꢁoꢅagꢃꢀTꢃmpꢃꢅaꢁuꢅꢃ  
TO-220ꢀMounꢁꢄngꢀToꢅquꢃ  
J
1
8.8  
Nm  
lbꢆ-ꢄn  
M3ꢀSꢂꢅꢃw  
6-32ꢀSꢂꢅꢃw  
1
C3D10065A Rev. C, 12-2015  
123456

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