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BZT03-C91

更新时间: 2024-09-16 22:50:23
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恩智浦 - NXP 瞬态抑制器稳压二极管测试
页数 文件大小 规格书
9页 50K
描述
Voltage regulator diodes

BZT03-C91 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:E-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.88
Is Samacsys:N最小击穿电压:85 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:126 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE最大动态阻抗:200 Ω
JESD-30 代码:E-LALF-W2湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:300 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ELLIPTICAL
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):225
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.3 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:91 V
最大反向电流:5 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:6.5%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZT03-C91 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BZT03 series  
Voltage regulator diodes  
1996 Jun 11  
Product specification  
Supersedes data of April 1992  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZT03-C91/A52R ETC

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Zener Diode, 91V V(Z), 5%, 3.25W,
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Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors