BZT03-C8V2

更新时间： 2024-09-16 22:50:23

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BZT03-C8V2 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	E-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.88
Is Samacsys：	N	最小击穿电压：	7.7 V
外壳连接：	ISOLATED	最大钳位电压：	12.3 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	最大动态阻抗：	2 Ω
JESD-30 代码：	E-LALF-W2	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	300 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ELLIPTICAL
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	225
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.3 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	8.2 V
最大反向电流：	1200 µA	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	6%
工作测试电流：	100 mA	Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

handbook, 2 columns

M3D116

BZT03 series

Voltage regulator diodes

1996 Jun 11

Product speciﬁcation

Supersedes data of April 1992

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BZT03-C8V2/A52R	ETC	获取价格	ZENER DIODE 3.0W 8.2V
BZT03C8V2AMO	PHILIPS	获取价格	Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 3.25W,
BZT03-C8V2AMO	NXP	获取价格	DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie
BZT03C8V2T/R	PHILIPS	获取价格	Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 3.25W,
BZT03-C8V2T/R	NXP	获取价格	DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie
BZT03C8V2-TAP	VISHAY	获取价格	暂无描述
BZT03C8V2-TR	VISHAY	获取价格	暂无描述
BZT03C91	SEMTECH	获取价格	SILICON Z-DIODES AND TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
BZT03C91	LGE	获取价格	POWER DISSIPATION: 3.25 W
BZT03C91	VISHAY	获取价格	Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors