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BZT03-C8V2T/R

更新时间: 2024-11-07 13:06:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 瞬态抑制器稳压二极管测试
页数 文件大小 规格书
9页 50K
描述
DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transient Suppressor

BZT03-C8V2T/R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:E-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.8Is Samacsys:N
最小击穿电压:7.7 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:12.3 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:E-LALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:300 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ELLIPTICAL封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.3 W
认证状态:Not Qualified最大反向电流:1200 µA
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

BZT03-C8V2T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BZT03 series  
Voltage regulator diodes  
1996 Jun 11  
Product specification  
Supersedes data of April 1992  

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