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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYW29EB200T/R | PHILIPS |
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Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), |
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| BYW29EB-200T/R | NXP |
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DIODE 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYW29EBSERIES | NXP |
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Rectifier diodes ultrafast. rugged |
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| BYW29EB-T | NXP |
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DIODE 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYW29ED | NXP |
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Rectifier diodes ultrafast, rugged |
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| BYW29ED-150 | NXP |
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Rectifier diodes ultrafast, rugged |
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| BYW29ED-150/T3 | NXP |
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DIODE 8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYW29ED-200 | NXP |
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Rectifier diodes ultrafast, rugged |
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| BYW29ED-200 | WEEN |
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Ultrafast power diode in a SOT428 (DPAK) surface-mountable package. |
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| BYW29ED-200,118 | NXP |
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BYW29ED-200 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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