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BYW29EB-T

更新时间: 2024-09-26 17:39:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 37K
描述
DIODE 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

BYW29EB-T 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.35
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:8 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向恢复时间:0.025 µs表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

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