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BYW29EB-200 PDF预览

BYW29EB-200

更新时间： 2024-02-23 01:15:37
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
8页 63K
描述
Rectifier diodes ultrafast, rugged

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BYW29EB-200 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.6
应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：88 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.025 µs表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

BYW29EB-200 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
ultrafast, rugged  
BYW29EB, BYW29ED series  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
VR = 150 V/ 200 V  
VF ≤ 0.895 V  
• Low forward volt drop  
• Fast switching  
• Soft recovery characteristic  
• Reverse surge capability  
• High thermal cycling performance  
• Low thermal resistance  
k
tab  
a
3
IF(AV) = 8 A  
IRRM = 0.2 A  
trr ≤ 25 ns  
GENERAL DESCRIPTION  
Ultra-fast, epitaxial rectifier diodes intendedfor useas output rectifiers inhigh frequency switchedmode powersupplies.  
The BYW29EB series is supplied in the SOT404 surface mounting package.  
The BYW29ED series is supplied in the SOT428 surface mounting package.  
PINNING  
SOT404  
SOT428  
PIN  
DESCRIPTION  
no connection  
cathode1  
tab  
tab  
1
2
3
anode  
2
2
1
3
1
3
tab  
cathode  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS  
BYW29EB/ BYW29ED  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
-150  
-200  
VRRM  
Peak repetitive reverse  
-
-
150  
150  
150  
200  
200  
200  
V
V
voltage  
VRWM  
Working peak reverse  
voltage  
VR  
Continuous reverse voltage  
-
-
V
A
IF(AV)  
Average rectified forward  
current  
square wave; δ = 0.5; Tmb ≤ 128 ˚C  
square wave; δ = 0.5; Tmb ≤ 128 ˚C  
8
IFRM  
IFSM  
Repetitive peak forward  
current  
-
16  
A
Non-repetitive peak forward t = 10 ms  
current  
-
-
80  
88  
A
A
t = 8.3 ms  
sinusoidal; with reapplied VRRM(max)  
tp = 2 µs; δ = 0.001  
IRRM  
IRSM  
Tj  
Peak repetitive reverse  
surge current  
-
0.2  
0.2  
A
A
Peak non-repetitive reverse tp = 100 µs  
surge current  
-
-
Operating junction  
150  
150  
˚C  
˚C  
temperature  
Tstg  
Storage temperature  
- 40  
1. It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT428 or SOT404 packages.  
November 1998  
1
Rev 1.300  
12345678

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与BYW29EB-200相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYW29EB-200/T3 NXP

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 		DIODE 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode
BYW29EB200T/R PHILIPS

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 200V V(RRM),
BYW29EB-200T/R NXP

获取价格

 		DIODE 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYW29EBSERIES NXP

获取价格

 		Rectifier diodes ultrafast. rugged
BYW29EB-T NXP

获取价格

 		DIODE 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYW29ED NXP

获取价格

 		Rectifier diodes ultrafast, rugged
BYW29ED-150 NXP

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 		Rectifier diodes ultrafast, rugged
BYW29ED-150/T3 NXP

获取价格

 		DIODE 8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYW29ED-200 NXP

获取价格

 		Rectifier diodes ultrafast, rugged
BYW29ED-200 WEEN

获取价格

 		Ultrafast power diode in a SOT428 (DPAK) surface-mountable package.

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