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BYV12-TAP PDF预览

BYV12-TAP

更新时间： 2024-11-21 13:06:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
4页 51K
描述
DIODE 1.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Rectifier Diode

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BYV12-TAP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：E-LALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.69应用：FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.5 VJESD-30 代码：E-LALF-W2
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：40 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1.5 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ELLIPTICAL封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.3 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BYV12-TAP 数据手册

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BYV12...BYV16  
Vishay Telefunken  
Fast Silicon Mesa Rectifiers  
Features  
Glass passivated junction  
Hermetically sealed package  
Soft recovery characteristic  
Low reverse current  
Applications  
94 9539  
Fast rectifier and switch for example for TV–line output  
circuits and switch mode power supply  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C  
j
Parameter  
Reverse voltage  
=Repetitive peak reverse voltage  
Test Conditions  
Type  
Symbol  
Value  
100  
400  
600  
800  
1000  
40  
Unit  
V
V
V
V
BYV12  
BYV13  
BYV14  
BYV15  
BYV16  
V =V  
R
RRM  
RRM  
RRM  
RRM  
RRM  
V =V  
R
V =V  
R
V =V  
R
V =V  
R
V
A
Peak forward surge current  
t =10ms,  
I
p
FSM  
half sinewave  
Repetitive peak forward current  
Average forward current  
Junction and storage  
temperature range  
I
I
9
1.5  
–65...+175  
A
A
C
FRM  
ϕ=180 , T =25 C  
amb  
FAV  
T =T  
j
stg  
Maximum Thermal Resistance  
T = 25 C  
j
Parameter  
Junction ambient  
Test Conditions  
l=10mm, T =constant  
on PC board with spacing 25mm  
Symbol  
Value  
45  
100  
Unit  
K/W  
K/W  
R
thJA  
R
thJA  
L
Electrical Characteristics  
T = 25 C  
j
Parameter  
Test Conditions  
Type  
Symbol Min  
Typ Max Unit  
Forward voltage  
Reverse current  
I =1A  
V
1.5  
5
150  
300  
200  
V
A
A
ns  
nC  
F
F
V =V  
I
I
1
60  
R
RRM  
R
V =V  
, T =150 C  
R
RRM  
j
R
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
I =0.5A, I =1A, i =0.25A  
t
rr  
Q
F
R
R
I =1A, di/dt=5A/ s  
F
rr  
Document Number 86039  
Rev. 2, 24-Jun-98  
www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600  
1 (4)  
1234

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BYV12-TAP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BYV12-TR VISHAY

完全替代

 DIODE 1.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKA

与BYV12-TAP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYV12-TR VISHAY

获取价格

 		DIODE 1.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKA
BYV13 BL Galaxy Electrical

获取价格

 		FAST RECOVERY RECTIFIER
BYV13 VISHAY

获取价格

 		Fast Silicon Mesa Rectifiers
BYV13 TEMIC

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 400V V(RRM), Silicon,
BYV133 NXP

获取价格

 		20A, 35V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
BYV133-35 YAGEO

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 35V V(RRM), Silicon
BYV133-35 PHILIPS

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 18A, 35V V(RRM),
BYV133-35 NXP

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 		20A, 35V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
BYV133-40 YAGEO

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 40V V(RRM), Silicon
BYV133-40 PHILIPS

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 		Rectifier Diode, Schottky, 18A, 40V V(RRM),

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