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BYV133F

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管
页数 文件大小 规格书
5页 34K
描述
Rectifier diodes schottky barrier

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BYV133F 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.84
应用：POWER二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：2相数：1
端子数量：3最大输出电流：20 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：35 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

BYV133F 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
schottky barrier  
BYV133F series  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Dual, low leakage, platinum barrier,  
schottky rectifier diodes in a full pack  
plastic envelope featuring low  
forward voltage drop, absence of  
stored charge. and guaranteed  
reverse surgecapability. The devices  
areintendedforuseinswitchedmode  
power supplies and high frequency  
circuits in general where low  
conductionand zero switchinglosses  
are important.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX. MAX. MAX. UNIT  
BYV133F-  
35  
35  
40  
40  
45  
45  
VRRM  
Repetitive peak reverse  
voltage  
V
VF  
IO(AV)  
Forward voltage  
0.60  
20  
0.60  
20  
0.60  
20  
V
A
Average output current  
(both diodes conducting)  
PINNING - SOT186  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
anode 1 (a)  
case  
a1  
1
a2  
3
2
cathode (k)  
anode 2 (a)  
3
k
2
1
2 3  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN.  
MAX.  
UNIT  
-35  
35  
35  
35  
-40  
40  
40  
40  
-45  
45  
45  
45  
VRRM  
VRWM  
VR  
Repetitive peak reverse voltage  
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage  
-
-
-
V
V
V
Ths ≤ 112 ˚C  
IO(AV)  
IO(RMS)  
IFRM  
Average output current (both  
diodes conducting)  
square wave; δ = 0.5;  
-
-
-
20  
20  
20  
A
A
A
T
hs ≤ 61 ˚C  
RMS output current (both  
diodes conducting)  
Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;  
per diode  
Ths ≤ 61 ˚C  
IFSM  
Non-repetitive peak forward  
current, per diode  
t = 10 ms  
-
-
100  
110  
A
A
t = 8.3 ms  
sinusoidal Tj = 125 ˚C prior  
to surge; with reapplied  
VRRM(max)  
I2t  
I2t for fusing  
t = 10 ms  
-
-
50  
1
A2s  
A
IRRM  
Repetitive peak reverse current tp = 2 µs; δ = 0.001  
per diode.  
IRSM  
Non-repetitive peak reverse  
current per diode.  
tp = 100 µs  
-
1
A
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
-65  
-
175  
150  
˚C  
˚C  
Operating junction temperature  
August 1996  
1
Rev 1.100  
12345

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