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BYV13-TAP

更新时间： 2024-01-29 14:31:57
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管
页数 文件大小 规格书
5页 452K
描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 400V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

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BYV13-TAP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：5.45
应用：FAST SOFT RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.5 V
JESD-30 代码：E-LALF-W2JESD-609代码：e2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：40 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1.5 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ELLIPTICAL
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：400 V最大反向恢复时间：0.3 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

BYV13-TAP 数据手册

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BYV12, BYV13, BYV14, BYV15, BYV16  
Vishay Semiconductors  
Fast Avalanche Sinterglass Diode  
FEATURES  
• Glass passivated junction  
• Hermetically sealed package  
• Low reverse current  
• Soft recovery characteristics  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21  
definition  
949539  
APPLICATIONS  
MECHANICAL DATA  
• Fast rectification and switching diode for example for  
TV-line output circuits and switch mode power supply  
Case: SOD-57  
Terminals: plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,  
method 2026  
Polarity: color band denotes cathode end  
Mounting position: any  
Weight: approx. 369 mg  
PARTS TABLE  
PART  
TYPE DIFFERENTIATION  
PACKAGE  
SOD-57  
SOD-57  
SOD-57  
SOD-57  
SOD-57  
BYV12  
BYV13  
BYV14  
BYV15  
BYV16  
VR = 100 V; IFAV = 1.5 A  
VR = 400 V; IFAV = 1.5 A  
VR = 600 V; IFAV = 1.5 A  
VR = 800 V; IFAV = 1.5 A  
VR = 1000 V; IFAV = 1.5 A  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
PART  
BYV12  
BYV13  
BYV14  
BYV15  
BYV16  
SYMBOL  
VALUE  
100  
400  
600  
800  
1000  
40  
UNIT  
VR = VRRM  
V
V
V
V
V
A
A
A
V
V
V
V
R = VRRM  
R = VRRM  
R = VRRM  
R = VRRM  
IFSM  
Reverse voltage = repetitive peak  
reverse voltage  
See electrical characteristics  
Peak forward surge current  
Repetitive peak forward current  
Average forward current  
tp = 10 ms, half sine wave  
IFRM  
9
ϕ = 180°  
IFAV  
1.5  
Non repetitive reverse avalanche  
energy  
I(BR)R = 0.4 A  
ER  
10  
mJ  
°C  
Junction and storage temperature  
range  
Tj = Tstg  
- 55 to + 175  
MAXIMUM THERMAL RESISTANCE (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
Lead length l = 10 mm, TL = constant  
On PC board with spacing 25 mm  
RthJA  
45  
K/W  
K/W  
Junction ambient  
RthJA  
100  
www.vishay.com  
124  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
Document Number: 86039  
Rev. 1.7, 30-Jul-10  
12345

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与BYV13-TAP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYV13-TR VISHAY

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 400V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE A
BYV14 VISHAY

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 		Fast Silicon Mesa Rectifiers
BYV14 BL Galaxy Electrical

获取价格

 		FAST RECOVERY RECTIFIER
BYV143 SEME-LAB

获取价格

 		DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODE IN TO220 METAL PACKAGE FOR HI.REL APPLICATIONS
BYV143 NXP

获取价格

 		Rectifier diodes schottky barrier
BYV143-35 NXP

获取价格

 		30A, 35V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BYV143-40 NXP

获取价格

 		30A, 40V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BYV143-40AM SEME-LAB

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 		DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODE IN TO220 METAL PACKAGE FOR HI.REL APPLICATIONS
BYV143-40M SEME-LAB

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 		DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODE IN TO220 METAL PACKAGE FOR HI.REL APPLICATIONS
BYV143-40MA SEME-LAB

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