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BYV143-40RM PDF预览

BYV143-40RM

更新时间： 2024-09-24 22:37:15
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 肖特基二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 20K
描述
DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODE IN TO220 METAL PACKAGE FOR HI.REL APPLICATIONS

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BYV143-40RM 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：S-MSFM-P3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.42
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：S-MSFM-P3最大非重复峰值正向电流：220 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：30 A封装主体材料：METAL
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：40 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BYV143-40RM 数据手册

 浏览型号BYV143-40RM的Datasheet PDF文件第2页 
BYV143-40MA BYV143-45MA  
BYV143-40AM BYV143-45AM  
BYV143-40RM BYV143-45RM  
S E M E  
LA B  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm  
10.6  
DUAL SCHOTTKY  
BARRIER DIODE  
4.6  
0.8  
IN TO220 METAL PACKAGE  
FOR HI–REL APPLICATIONS  
3.6  
Dia.  
FEATURES  
1 2 3  
• HERMETIC TO220 METAL PACKAGE  
• ISOLATED CASE  
• SCREENING OPTIONS AVAILABLE  
• OUTPUT CURRENT 30A  
• LOW V ( V < 0.6V)  
1.0  
2.54  
BSC  
2.70  
BSC  
F
F
TO220 METAL PACKAGE  
• LOW LEAKAGE  
Common Cathode  
BYV143-xxM  
Common Anode  
BYV143-xxAM  
Series Connection  
BYV143-xxRM  
1 = A Anode 1  
1 = K Cathode 1  
1 = K Cathode 1  
1
1
1
2 = K Cathode  
2 = A Anode  
2 = Centre Tap  
3 = A Anode 2  
3 = K Cathode 2  
3 = A Anode  
2
2
2
BYV143–40M  
BYV143–45M  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
V
V
V
I
Peak Repetitive Reverse Voltage  
40V  
40V  
40V  
45V  
45V  
45V  
RRM  
RWM  
R
Crest Working Reverse Voltage  
Continuous Reverse Voltage  
Output Current ( = 0.5)  
30A  
40A  
O
I
I
I
I
Forward RMS Current  
F(RMS)  
Repetitive Peak Forward Current  
250A  
200A  
220A  
FRM  
Non Repetitive Peak Forward Current (per diode)  
Non Repetitive Peak Forward Current (per diode)  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
= 0.001  
FSM  
FSM  
2
2
2
I T  
I T for fusing (per diode)  
200A s  
I
Reverse Surge Current  
Reverse Surge Current  
Storage Temperature Range  
t = 2 s  
p
2A  
2A  
RRM  
I
t = 100 s  
p
RSM  
T
–65 to 150°C  
150°C  
stg  
T
j
Maximum Operating Junction Temperature  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
Prelim. 02/98  
12

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与BYV143-40RM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYV143-45 NXP

获取价格

 		30A, 45V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BYV143-45 YAGEO

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon,
BYV143-45AM SEME-LAB

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 		DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODE IN TO220 METAL PACKAGE FOR HI.REL APPLICATIONS
BYV143-45M SEME-LAB

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 		Dual Schottky common cathode Rectifier
BYV143-45MA SEME-LAB

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 		Dual Schottky common cathode Rectifier
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 		DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODE IN TO220 METAL PACKAGE FOR HI.REL APPLICATIONS
BYV143B-35 NXP

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 		30A, 35V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC, SOT-404, 3 PIN
BYV143B-40 NXP

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 30A, 40V V(RRM),
BYV143B-40T/R NXP

获取价格

 		30A, 40V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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