生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.76 | 应用: | GENERAL PURPOSE |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1 V | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流: | 40 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最大输出电流: | 2 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 600 V | 最大反向恢复时间: | 0.05 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BYV16-TAP | VISHAY |
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Fast Avalanche Sinterglass Diode | |
BYV16-TR | VISHAY |
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Fast Avalanche Sinterglass Diode | |
BYV20M-650P | WEEN |
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Ultrafast power diode in a 2-lead TO220 plastic package. | |
BYV20MX-650P | WEEN |
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Ultrafast power diode in a TO220F-2L plastic package. | |
BYV21 | NJSEMI |
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SCHOTTKY-BARRIER RECTIFIER DIODES | |
BYV2100 | NXP |
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Fast soft-recovery controlled avalanche rectifier | |
BYV2100T/R | NXP |
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1.3A, 100V, SILICON, RECTIFIER DIODE | |
BYV21-30 | NJSEMI |
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SCHOTTKY-BARRIER RECTIFIER DIODES | |
BYV21-35 | NJSEMI |
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SCHOTTKY-BARRIER RECTIFIER DIODES | |
BYV21-40 | NJSEMI |
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SCHOTTKY-BARRIER RECTIFIER DIODES |