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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.76 | 应用： | FAST SOFT RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.78 V | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 50 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大输出电流： | 1.3 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 100 V | 最大反向恢复时间： | 0.0125 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYV2100T/R | NXP |
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1.3A, 100V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| BYV21-30 | NJSEMI |
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SCHOTTKY-BARRIER RECTIFIER DIODES |
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| BYV21-35 | NJSEMI |
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SCHOTTKY-BARRIER RECTIFIER DIODES |
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| BYV21-40 | NJSEMI |
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SCHOTTKY-BARRIER RECTIFIER DIODES |
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| BYV21-40A | NJSEMI |
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SCHOTTKY-BARRIER RECTIFIER DIODES |
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| BYV21-45 | NJSEMI |
获取价格 |
SCHOTTKY-BARRIER RECTIFIER DIODES |
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| BYV21M-650P | WEEN |
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Ultrafast power diode in a 2-lead TO220 plastic package. |
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| BYV21MB-650P | WEEN |
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Ultrafast power diode in a TO263 plastic package |
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| BYV21MD-650P | WEEN |
获取价格 |
Ultrafast power diode in a TO252 (DPAK) plastic package. |
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| BYV21MX-650P | WEEN |
获取价格 |
Ultrafast power diode in a TO220F-2L plastic package. |
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