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BYV143-35

更新时间： 2024-11-25 14:48:11

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
6页	37K
描述
30A, 35V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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BYV143-35 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.27
Is Samacsys：	N	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：	200 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最大输出电流：	30 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	35 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

BYV143-35 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Rectifier diodes

Schottky barrier

BYV143, BYV143B series

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• Low forward volt drop

• Fast switching

• Reverse surge capability

• High thermal cycling performance

• Low thermal resistance

V_R= 35 V/ 40 V/ 45 V

I_O(AV)= 30 A

V_F≤ 0.6 V

GENERAL DESCRIPTION

Dual, common cathode schottky rectifier diodes in a conventional leaded plastic package and a surface mounting

plastic package. Intended for use as output rectifiers in low voltage, high frequency switched mode power supplies.

The BYV143 series is supplied in the SOT78 conventional leaded package.

The BYV143B series is supplied in the SOT404 surface mounting package.

PINNING

SOT78 (TO220AB)

SOT404

DESCRIPTION

anode 1 (a)

cathode (k) ¹

tab

anode 2 (a)

cathode (k)

1 2 3

tab

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

BYV143-

BYV143B-

V_RRM

V_RWM

Peak repetitive reverse

voltage

Working peak reverse

voltage

Continuous reverse voltage

V_R

_mb≤ 110 ˚C

I_O(AV)

Average rectified forward

current (both diodes

conducting)

square wave; δ = 0.5;

T_mb≤ 116 ˚C

I_FRM

I_FSM

Repetitive peak forward

current (per diode)

square wave; δ = 0.5;

T_mb≤ 116 ˚C

Non-repetitive peak forward t = 10 ms

180

200

current per diode

t = 8.3 ms

sinusoidal; T_j= 125 ˚C prior to

surge; with reapplied V_RRM(max)

pulse width and repetition rate

limited by T_{j max}

I_RRM

T_j

Peak repetitive reverse

surge current per diode

Operating junction

temperature

150

175

˚C

T_stg

Storage temperature

- 65

1. It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 pckage.

June 1998

Rev 1.100

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BYV143-40	NXP	获取价格	30A, 40V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BYV143-40AM	SEME-LAB	获取价格	DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODE IN TO220 METAL PACKAGE FOR HI.REL APPLICATIONS
BYV143-40M	SEME-LAB	获取价格	DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODE IN TO220 METAL PACKAGE FOR HI.REL APPLICATIONS
BYV143-40MA	SEME-LAB	获取价格	DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODE IN TO220 METAL PACKAGE FOR HI.REL APPLICATIONS
BYV143-40RM	SEME-LAB	获取价格	DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODE IN TO220 METAL PACKAGE FOR HI.REL APPLICATIONS
BYV143-45	NXP	获取价格	30A, 45V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BYV143-45	YAGEO	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon,
BYV143-45AM	SEME-LAB	获取价格	DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODE IN TO220 METAL PACKAGE FOR HI.REL APPLICATIONS
BYV143-45M	SEME-LAB	获取价格	Dual Schottky common cathode Rectifier
BYV143-45MA	SEME-LAB	获取价格	DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODE IN TO220 METAL PACKAGE FOR HI.REL APPLICATIONS

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