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银河微电 - BL Galaxy Electrical | 快速恢复二极管 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
2页 | 68K | |
描述 | ||
FAST RECOVERY RECTIFIER |
是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
Factory Lead Time: | 12 weeks | 风险等级: | 5.45 |
应用: | FAST SOFT RECOVERY | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.5 V |
JESD-30 代码: | E-LALF-W2 | JESD-609代码: | e2 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值正向电流: | 40 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 1.5 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ELLIPTICAL |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
最大重复峰值反向电压: | 400 V | 最大反向恢复时间: | 0.3 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Tin/Silver (Sn/Ag) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BYV133 | NXP |
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20A, 35V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB | |
BYV133-35 | YAGEO |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 35V V(RRM), Silicon | |
BYV133-35 | PHILIPS |
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Rectifier Diode, Schottky, 18A, 35V V(RRM), | |
BYV133-35 | NXP |
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20A, 35V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB | |
BYV133-40 | YAGEO |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 40V V(RRM), Silicon | |
BYV133-40 | PHILIPS |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 18A, 40V V(RRM), | |
BYV133-40 | NXP |
获取价格 |
20A, 40V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB | |
BYV133-45 | YAGEO |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 45V V(RRM), Silicon | |
BYV133-45 | PHILIPS |
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Rectifier Diode, Schottky, 18A, 45V V(RRM), | |
BYV133-45 | NXP |
获取价格 |
20A, 45V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |