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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 二极管 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
1页 | 34K | |
描述 | ||
1A, 20V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41, GLASS PACKAGE-2 |
是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DO-41 |
包装说明: | GLASS PACKAGE-2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.23 |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 0.75 V | JEDEC-95代码: | DO-41 |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | JESD-609代码: | e3 |
最大非重复峰值正向电流: | 25 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 1 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 20 V |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
技术: | SCHOTTKY | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
1N17-T | RECTRON |
功能相似 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLAS | |
1N17-B | RECTRON |
功能相似 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLAS | |
1N17 | RECTRON |
功能相似 |
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BYV10-20AB2 | STMICROELECTRONICS |
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1A, 20V, SILICON, SIGNAL DIODE | |
BYV10-20B2 | STMICROELECTRONICS |
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1A, 20V, SILICON, SIGNAL DIODE | |
BYV10-20T/R | PHILIPS |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), | |
BYV1030 | NXP |
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Schottky barrier diodes | |
BYV10-30 | NXP |
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Schottky barrier diodes | |
BYV10-30 | STMICROELECTRONICS |
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1A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41, GLASS PACKAGE-2 | |
BYV10-30 | NJSEMI |
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Diode Schottky 30V 1A 2-Pin GALF | |
BYV10-30143 | NXP |
获取价格 |
1A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE | |
BYV10-30B2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE | |
BYV10-30T/R | NXP |
获取价格 |
1A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |