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BYV10ED-600P

更新时间： 2024-01-28 15:06:00

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Ultrafast power diode

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BYV10ED-600P 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SC-63, DPAK-3/2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	应用：	ULTRA FAST SOFT RECOVERY POWER
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	2 V	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	最大非重复峰值正向电流：	80 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	参考标准：	IEC-60134
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向电流：	10 µA
最大反向恢复时间：	0.05 µs	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

BYV10ED-600P 数据手册

BYV10ED-600P

Ultrafast power diode

4 July 2017

Product data sheet

1. General description

Enhanced ultrafast power diode in a TO252 (DPAK) plastic package.

2. Features and beneﬁts

•

High thermal cycling performance

•

Soft recovery characteristic

Low on-state losses

Surface-mountable package

Low thermal resistance

Enhanced avalanche energy capability

3. Applications

•

Dual Mode (DCM and CCM) PFC

•

Power Factor Correction (PFC) for Interleaved Topology

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Values

Unit

Absolute maximum rating

V_RRM

I_F(AV)

I_FRM

repetitive peak reverse

voltage

600

average forward current δ = 0.5 ; square-wave pulse; T_mb≤ 118 °C;

Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3

repetitive peak forward δ = 0.5 ; t_p= 25 μs; T_mb≤ 118 °C;

current

square-wave pulse

I_FSM

non-repetitive peak

forward current

t_p= 10 ms; T_j(init)= 25 °C; sine-wave pulse;

Fig. 4

t_p= 8.3 ms; T_j(init)= 25 °C; sine-wave pulse;

Symbol Parameter

Static characteristics

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_F

forward voltage

I_F= 10 A; T_j= 25 °C; Fig. 6

I_F= 10 A; T_j= 150 °C; Fig. 6

1.5

1.6

Dynamic characteristics

t_rrreverse recovery time

I_F= 1 A; V_R= 30 V; dI_F/dt = 50 A/μs;

T_j= 25 °C; Fig. 7

I_F= 10 A; V_R= 200 V; dI_F/dt = 200 A/μs;

T_j= 25 °C; Fig. 7

I_F= 10 A; V_R= 200 V; dI_F/dt = 200 A/μs;

T_j= 125 °C; Fig. 7

12 3 4 5 6 7...10

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