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BYV118

更新时间： 2024-11-20 22:08:47
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恩智浦 - NXP 整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 39K
描述
Rectifier diodes Schottky barrier

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BYV118 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.73Is Samacsys：N
应用：POWER二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：2
相数：1端子数量：3
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：35 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

BYV118 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
Schottky barrier  
BYV118, BYV118B series  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
• Low forward volt drop  
• Fast switching  
• Reverse surge capability  
• High thermal cycling performance  
• Low thermal resistance  
VR = 35 V/ 40 V/ 45 V  
a1  
1
a2  
3
IO(AV) = 10 A  
VF ≤ 0.6 V  
k
2
GENERAL DESCRIPTION  
Dual, common cathode schottky rectifier diodes in a conventional leaded plastic package and a surface mounting  
plastic package. Intended for use as output rectifiers in low voltage, high frequency switched mode power supplies.  
The BYV118 series is supplied in the SOT78 conventional leaded package.  
The BYV118B series is supplied in the SOT404 surface mounting package.  
PINNING  
SOT78 (TO220AB)  
SOT404  
PIN  
DESCRIPTION  
anode 1 (a)  
cathode (k) 1  
tab  
tab  
1
2
2
3
anode 2 (a)  
cathode (k)  
1
3
1 2 3  
tab  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
BYV118-  
BYV118B-  
35  
35  
35  
40  
40  
40  
45  
45  
45  
VRRM  
VRWM  
Peak repetitive reverse  
-
-
V
V
voltage  
Working peak reverse  
voltage  
Continuous reverse voltage  
35  
35  
40  
45  
45  
VR  
T
mb ≤ 108 ˚C  
-
-
40  
10  
V
A
IO(AV)  
Average rectified forward  
current (both diodes  
conducting)  
square wave; δ = 0.5;  
Tmb ≤ 127 ˚C  
IFRM  
IFSM  
Repetitive peak forward  
current (per diode)  
square wave; δ = 0.5;  
-
10  
A
Tmb ≤ 127 ˚C  
Non-repetitive peak forward t = 10 ms  
-
-
100  
110  
A
A
current per diode  
t = 8.3 ms  
sinusoidal; Tj = 125 ˚C prior to  
surge; with reapplied VRRM(max)  
pulse width and repetition rate  
limited by Tj max  
IRRM  
Tj  
Peak repetitive reverse  
surge current per diode  
Operating junction  
temperature  
-
-
1
A
150  
175  
˚C  
˚C  
Tstg  
Storage temperature  
- 65  
1. It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 pckage.  
May 1998  
1
Rev 1.300  
123456

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与BYV118相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYV118-20 NXP

获取价格

 		DIODE 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, Rectifier Diode
BYV118-25 NXP

获取价格

 		DIODE 25 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, Rectifier Diode
BYV118-35 NXP

获取价格

 		Rectifier diodes Schottky barrier
BYV118-40 NXP

获取价格

 		Rectifier diodes Schottky barrier
BYV118-45 NXP

获取价格

 		Rectifier diodes Schottky barrier
BYV118B NXP

获取价格

 		Rectifier diodes Schottky barrier
BYV118B-35 NXP

获取价格

 		Rectifier diodes Schottky barrier
BYV118B35T/R PHILIPS

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 10A, 35V V(RRM),
BYV118B-35T/R NXP

获取价格

 		10A, 35V, SILICON, RECTIFIER DIODE
BYV118B-40 NXP

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 		Rectifier diodes Schottky barrier

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