BYV118X

更新时间： 2024-01-09 15:10:42

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恩智浦 - NXP		整流二极管
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6页	46K
描述
Rectifier diodes Schottky barrier

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BYV118X 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.73	应用：	POWER
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	35 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

BYV118X 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Rectifier diodes

Schottky barrier

BYV118F, BYV118X series

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• Low forward volt drop

• Fast switching

• Reverse surge capability

• High thermal cycling performance

• Isolated package

V_R= 35 V/ 40 V/ 45 V

I_O(AV)= 10 A

V_F≤ 0.6 V

GENERAL DESCRIPTION

Dual, common cathode schottky rectifier diodes in a plastic envelope with electrically isolated mounting tab. Intended

for use as output rectifiers in low voltage, high frequency switched mode power supplies.

The BYV118F series is supplied in the SOT186 package.

The BYV118X series is supplied in the SOT186A package.

PINNING

SOT186

SOT186A

DESCRIPTION

anode 1 (a)

cathode (k)

case

anode 2 (a)

isolated

2 3

tab

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

BYV118F-

BYV118X-

V_RRM

V_RWM

Peak repetitive reverse

voltage

Working peak reverse

voltage

Continuous reverse voltage

V_R

_hs≤ 97 ˚C

I_O(AV)

Average rectified output

current (both diodes

conducting)

square wave; δ = 0.5;

T_hs≤ 107 ˚C

I_FRM

I_FSM

Repetitive peak forward

current per diode

square wave; δ = 0.5;

T_hs≤ 107 ˚C

Non-repetitive peak forward t = 10 ms

100

110

current per diode

t = 8.3 ms

sinusoidal; T_j= 125 ˚C prior to

surge; with reapplied V_RRM(max)

pulse width and repetition rate

limited by T_{j max}

I_RRM

T_j

Peak repetitive reverse

surge current per diode

Operating junction

temperature

150

175

˚C

T_stg

Storage temperature

- 65

May 1998

Rev 1.100

12 3 4 5 6

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