BYV118B-40

更新时间： 2024-01-11 15:29:05

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恩智浦 - NXP		整流二极管
页数	文件大小	规格书
6页	39K
描述
Rectifier diodes Schottky barrier

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BYV118B-40 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.87 V	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：	110 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	40 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

BYV118B-40 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Rectifier diodes

Schottky barrier

BYV118, BYV118B series

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• Low forward volt drop

• Fast switching

• Reverse surge capability

• High thermal cycling performance

• Low thermal resistance

V_R= 35 V/ 40 V/ 45 V

I_O(AV)= 10 A

V_F≤ 0.6 V

GENERAL DESCRIPTION

Dual, common cathode schottky rectifier diodes in a conventional leaded plastic package and a surface mounting

plastic package. Intended for use as output rectifiers in low voltage, high frequency switched mode power supplies.

The BYV118 series is supplied in the SOT78 conventional leaded package.

The BYV118B series is supplied in the SOT404 surface mounting package.

PINNING

SOT78 (TO220AB)

SOT404

DESCRIPTION

anode 1 (a)

cathode (k) ¹

tab

anode 2 (a)

cathode (k)

1 2 3

tab

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

BYV118-

BYV118B-

V_RRM

V_RWM

Peak repetitive reverse

voltage

Working peak reverse

voltage

Continuous reverse voltage

V_R

_mb≤ 108 ˚C

I_O(AV)

Average rectified forward

current (both diodes

conducting)

square wave; δ = 0.5;

T_mb≤ 127 ˚C

I_FRM

I_FSM

Repetitive peak forward

current (per diode)

square wave; δ = 0.5;

T_mb≤ 127 ˚C

Non-repetitive peak forward t = 10 ms

100

110

current per diode

t = 8.3 ms

sinusoidal; T_j= 125 ˚C prior to

surge; with reapplied V_RRM(max)

pulse width and repetition rate

limited by T_{j max}

I_RRM

T_j

Peak repetitive reverse

surge current per diode

Operating junction

temperature

150

175

˚C

T_stg

Storage temperature

- 65

1. It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 pckage.

May 1998

Rev 1.300

12 3 4 5 6

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与BYV118B-40相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BYV118B40T/R	PHILIPS	Rectifier Diode, Schottky, 10A, 40V V(RRM),	获取价格
BYV118B-40T/R	NXP	10A, 40V, SILICON, RECTIFIER DIODE	获取价格
BYV118B-45	NXP	Rectifier diodes Schottky barrier	获取价格
BYV118B45T/R	PHILIPS	Rectifier Diode, Schottky, 10A, 45V V(RRM),	获取价格
BYV118B-45T/R	NXP	10A, 45V, SILICON, RECTIFIER DIODE	获取价格
BYV118F	NXP	Rectifier diodes Schottky barrier	获取价格