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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
二极管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 4页 | 83K |  |
| 描述 | ||
| 1A, 20V, SILICON, SIGNAL DIODE | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.2 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 1 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 20 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYV10-20B2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1A, 20V, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| BYV10-20T/R | PHILIPS |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), |
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| BYV1030 | NXP |
获取价格 |
Schottky barrier diodes |
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| BYV10-30 | NXP |
获取价格 |
Schottky barrier diodes |
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| BYV10-30 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41, GLASS PACKAGE-2 |
|
| BYV10-30 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Schottky 30V 1A 2-Pin GALF |
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| BYV10-30143 | NXP |
获取价格 |
1A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| BYV10-30B2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| BYV10-30T/R | NXP |
获取价格 |
1A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
|
| BYV10-30T/R | PHILIPS |
获取价格 |
Diode, |
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