5秒后页面跳转
BYV10-40143 PDF预览

BYV10-40143

更新时间: 2024-11-29 14:48:11
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 39K
描述
1A, 40V, SILICON, SIGNAL DIODE

BYV10-40143 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.21Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:40 V
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

BYV10-40143 数据手册

 浏览型号BYV10-40143的Datasheet PDF文件第2页 

与BYV10-40143相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYV10-40B2 STMICROELECTRONICS

获取价格

1A, 40V, SILICON, SIGNAL DIODE
BYV10-40T/R PHILIPS

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM),
BYV1060 STMICROELECTRONICS

获取价格

SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE
BYV10-60 STMICROELECTRONICS

获取价格

SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE
BYV10-600P NXP

获取价格

Ultrafast power diode
BYV10-600P WEEN

获取价格

Ultrafast power diode in a SOD59 (2-lead TO-220AC) plastic package.
BYV10-600P,127 NXP

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC
BYV10-60B2 STMICROELECTRONICS

获取价格

1A, 60V, SILICON, SIGNAL DIODE
BYV10D-600P WEEN

获取价格

Ultrafast power diode in TO252 (DPAK) plastic package.
BYV10ED-600P WEEN

获取价格

Ultrafast power diode