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BYV10-30

更新时间: 2024-11-27 22:08:47
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恩智浦 - NXP 整流二极管
页数 文件大小 规格书
4页 24K
描述
Schottky barrier diodes

BYV10-30 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.76Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.39 VJESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:30 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

BYV10-30 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
page  
BYV10 series  
Schottky barrier diodes  
1996 May 13  
Product specification  
Supersedes data of April 1992  

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