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1N17-B

更新时间： 2024-11-18 20:06:11

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RECTRON		/
页数	文件大小	规格书
2页	23K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-1, 2 PIN

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1N17-B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-1, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.22
其他特性：	HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	265
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	20 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N17-B 数据手册

1N17

THRU

1N19

RECTRON

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL SPECIFICATION

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

VOLTAGE RANGE 20 to 40 Volts CURRENT 1.0 Ampere

FEATURES

* Low power loss, high efficiency

* Low leakage

* Low forward voltage

* High current capability

* High speed switching

* High surge capabitity

* High reliability

R-1

MECHANICAL DATA

* Case: Molded plastic

(

)

.025 0.65

* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O

* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed

* Mounting position: Any

DIA.

(

)

.021 0.55

(

)

.787 20.0

MIN.

* Weight: 0.12 gram

(

)

.126 3.2

(

)

.106 2.7

(

)

.102 2.6

DIA.

(

)

.091 2.3

(

)

.787 20.0

MIN.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS (At T

= 25^oC unless otherwise noted)

RATINGS

SYMBOL

1N17

1N18

1N19

UNITS

RRM

Volts

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

RMS

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Rectified Current

.375” (9.5mm) lead length at TL

= 90^oC

1.0

Amps

Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)

FSM

Amps

Typical Thermal Resistance (Note 1)

Typical Junction Capacitance (Note 2)

Storage and Operating Temperature Range

Rθ JA

110

⁰C/W

⁰C

, TSTG

-55 to + 150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At T

CHARACTERISTICS

Maximum Forward Voltage at 1.0A DC

= 25^oC unless otherwise noted)

SYMBOL

1N17

.45

1N18

.55

1N19

.60

UNITS

Volts

Maximum Forward Voltage at 3.1A DC

.75

.875

1.0

.90

Volts

= 25^oC

= 100^oC

Maximum Average Reverse Current at

Peak Reverse Voltage

mAmps

NOTES : 1. Thermal Resistance (Junction to Ambient): Vertical PC Board Mounting, 0.5” (12.7mm) Lead Length.

2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.

2003-1

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