1N18

更新时间： 2024-10-01 22:34:55

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美微科 - MCC		整流二极管
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2页	372K
描述
1.0 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 40 Volts

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1N18 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, R-1, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.39
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW POWER LOSS
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.55 V	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	25 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	30 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N18 数据手册

1N17

THRU

1N19

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

1.0 Amp Schottky

Barrier Rectifier

20 to 40 Volts

High Current Capability

Low Power loss

High Efficiency

Low Forward Voltage Drop

Metal Silicon junction, majority carrier conduction

Maximum Ratings

R-1

Operating Temperature: -55°C to +125°C

Storage Temperature: -55°C to +125°C

Typical Thermal Resistance: 50^oC/W junction to Ambient

For capacitive load. Derate current by 20%

Maximum

Recurrent

Peak Reverse

Voltage

Maximum DC

MCC

Part Number

Maximum

RMS

Voltage

14V

Blocking

Voltage

1N17

1N18

1N19

20V

30V

40V

20V

30V

40V

21V

28V

Cathode Mark

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

I_(AV)

1.0A

T_A= 90°C

Rectified Current

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

25A

8.3ms, half sine

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

V_F

1N17

1N18

1N19

0.45V

0.55V

0.60V

I_FM= 1.0A;

T_C= 25°C

DIMENSIONS

Maximum DC

INCHES

DIM

NOTE

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

Typical Junction

Capacitance

0.5mA

10mA

T_C= 25°C

T_C= 100°C

MIN

MAX

0.140

0.102

0.024

-----

MIN

2.90

2.30

0.50

20.00

MAX

3.50

2.60

0.60

-----

I_R

0.116

0.091

0.020

0.787

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

110pF

Note: 300 us pulse width, 1% duty cycle

www.mccsemi.com

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1N1803AE3	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-4, DO-4, 1 PIN
1N1803E3	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 5.6V V(Z), 10%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-4, DO-4, 1 PIN
1N1804	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 6.2V V(Z), 10%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-4, DO-4, 1 PIN
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