5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.37 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最大输出电流： | 1 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 20 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYV10-20A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1A, 20V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41, GLASS PACKAGE-2 |
|
| BYV10-20AB2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1A, 20V, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| BYV10-20B2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1A, 20V, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| BYV10-20T/R | PHILIPS |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), |
|
| BYV1030 | NXP |
获取价格 |
Schottky barrier diodes |
|
| BYV10-30 | NXP |
获取价格 |
Schottky barrier diodes |
|
| BYV10-30 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41, GLASS PACKAGE-2 |
|
| BYV10-30 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Schottky 30V 1A 2-Pin GALF |
|
| BYV10-30143 | NXP |
获取价格 |
1A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| BYV10-30B2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
