Datasheet > BYS10-45-HE3/TR3

BYS10-45-HE3/TR3

更新时间： 2024-11-11 14:25:43

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
4页	81K
描述
DIODE 1.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN, Rectifier Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BYS10-45-HE3/TR3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214AC
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BYS10-45-HE3/TR3 数据手册

BYS10-25 thru BYS10-45

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

Surface Mount Schottky Barrier Rectifier

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Guardring for overvoltage protection

• Low power losses, high efficiency

• Very low switching losses

• High surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of

260 °C

• AEC-Q101 qualified

DO-214AC (SMA)

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in low voltage high frequency inverters,

freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection

applications.

PRIMARY CHARACTERISTICS

MECHANICAL DATA

Case: DO-214AC (SMA)

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade

Base P/NHE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

1.5 A

25 V to 45 V

40 A

V_F

0.50 V

T_Jmax.

150 °C

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3 suffix

meets JESD 201 class 2 whisker test

Polarity: Color band denotes the cathode end

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

BYS10-25

BYS 025

BYS10-35

BYS10-45

BYS 045

UNIT

Device marking code

BYS 035

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum average forward rectified current

V_RRM

I_F(AV)

1.5

8.3 ms

10 ms

Peak forward surge current single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

Junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 65 to + 150

°C

Revision: 26-Mar-12

Document Number: 86013

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与BYS10-45-HE3/TR3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BYS10-45-M3/TR3	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 45V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2
BYS10-45TR	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 45V V(RRM), Silicon, DO-214
BYS10-50T	ETC	获取价格	SCHOTTKY-DUAL DIODES
BYS10-60T	ETC	获取价格	SCHOTTKY-DUAL DIODES
BYS10-70T	ETC	获取价格	SCHOTTKY-DUAL DIODES
BYS10-80T	ETC	获取价格	SCHOTTKY-DUAL DIODES
BYS10-90T	ETC	获取价格	SCHOTTKY-DUAL DIODES
BYS10-XXX	ETC	获取价格	SCHOTTKY-DUAL DIODES
BYS11?0	ETC	获取价格	Schottky Barrier Rectifier
BYS11-100	VISHAY	获取价格	DIODE 1.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, PLASTIC, SMA, 2 PIN, Rectifier Dio

与BYS10-45-HE3/TR3相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

7
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

8
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BYS10-45-HE3/TR3

BYS10-45-HE3/TR3 技术参数

BYS10-45-HE3/TR3 数据手册

与BYS10-45-HE3/TR3相关器件

与BYS10-45-HE3/TR3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BYS10-45-HE3/TR3

BYS10-45-HE3/TR3 技术参数

BYS10-45-HE3/TR3 数据手册

与BYS10-45-HE3/TR3相关器件

与BYS10-45-HE3/TR3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？