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BYQ30ED-200-T

更新时间: 2024-11-15 20:01:11
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恩智浦 - NXP 超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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6页 144K
描述
DIODE 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

BYQ30ED-200-T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.76应用:ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接:CATHODE配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流:88 A
元件数量:2相数:1
端子数量:2最大输出电流:8 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:0.025 µs
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

BYQ30ED-200-T 数据手册

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