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BYQ60EW

更新时间： 2024-11-14 22:09:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
6页 59K
描述
Rectifier diodes ultrafast, rugged

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BYQ60EW 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.84
Is Samacsys：N应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：274 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：30 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.06 µs
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

BYQ60EW 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
ultrafast, rugged  
BYQ60EW series  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
VR = 150 V/ 200 V  
VF ≤ 0.85 V  
• Low forward volt drop  
• Fast switching  
• Soft recovery characteristic  
• Reverse surge capability  
• High thermal cycling performance  
• Low thermal resistance  
a1  
1
a2  
3
IO(AV) = 60 A  
IRRM ≤ 0.2 A  
k
2
trr ≤ 35 ns  
GENERAL DESCRIPTION  
PINNING  
SOT429 (TO247)  
Dual, common cathode, ultra-fast,  
epitaxial rectifier diodes intended  
for use as output rectifiers in high  
frequency switched mode power  
supplies.  
PIN  
DESCRIPTION  
anode 1  
cathode  
1
2
The BYQ60EW seriesis suppliedin  
the conventional leaded SOT429  
(TO247) package.  
3
anode 2  
cathode  
tab  
2
1
3
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
BYQ60EW  
-150  
150  
150  
150  
-200  
200  
200  
200  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak repetitive reverse voltage  
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage  
-
-
-
V
V
V
IO(AV)  
IFRM  
IFSM  
Average rectified output current square wave  
(both diodes conducting) δ = 0.5; Tmb ≤ 82 ˚C  
-
-
60  
60  
A
A
Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;  
per diode  
Non-repetitive peak forward  
current per diode  
Tmb ≤ 82 ˚C  
t = 10 ms  
-
-
380  
414  
A
A
t = 8.3 ms  
sinusoidal; with reapplied  
VRWM(max)  
Repetitive peak reverse current tp = 2 µs; δ = 0.001  
IRRM  
IRSM  
-
-
0.2  
0.2  
A
A
per diode  
Non-repetitive peak reverse  
current per diode  
tp = 100 µs  
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
Operating junction temperature  
-40  
-
150  
150  
˚C  
˚C  
ESD LIMITING VALUE  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VC  
Electrostatic discharge  
capacitor voltage  
Human body model;  
C = 250 pF; R = 1.5 kΩ  
-
8
kV  
December 1998  
1
Rev 1.000  
123456

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