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BYR29-600

更新时间： 2024-11-10 22:25:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管
页数 文件大小 规格书
5页 46K
描述
Rectifier diodes ultrafast

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BYR29-600 技术参数

Source Url Status Check Date：2013-06-14 00:00:00是否无铅： 不含铅
是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-220AC包装说明：R-PSFM-T2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.23
应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.6 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：66 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.075 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BYR29-600 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
ultrafast  
BYR29 series  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
• Low forward volt drop  
• Fast switching  
• Soft recovery characteristic  
• Reverse surge capability  
• High thermal cycling performance  
• Low thermal resistance  
VR = 500 V/ 600 V/ 700 V /  
800 V  
k
1
a
2
VF ≤ 1.5 V  
IF(AV) = 8 A  
trr ≤ 75 ns  
GENERAL DESCRIPTION  
PINNING  
SOD59 (TO220AC)  
Ultra-fast, epitaxial rectifier diodes  
intended for use as output rectifiers  
in high frequency switched mode  
power supplies.  
PIN  
DESCRIPTION  
cathode  
anode  
cathode  
tab  
1
2
The BYR29 series is supplied in the  
conventional  
leaded  
SOD59  
tab  
(TO220AC) package.  
1
2
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
BYR29  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
-500  
500  
500  
500  
-600  
600  
600  
600  
-700  
700  
700  
700  
-800  
800  
800  
800  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak repetitive reverse voltage  
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage  
-
-
-
V
V
V
IF(AV)  
Average forward current1  
square wave;  
-
8
A
δ = 0.5;  
Tmb ≤ 115 ˚C  
IFRM  
IFSM  
Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;  
-
16  
A
T
mb ≤ 115 ˚C  
Non-repetitive peak forward  
current  
t = 10 ms  
-
-
60  
66  
A
A
t = 8.3 ms  
sinusoidal; with  
reapplied VRRM(max)  
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
Operating junction temperature  
-40  
-
150  
150  
˚C  
˚C  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
Rth j-mb  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
mounting base  
Thermal resistance junction to in free air.  
ambient  
-
-
-
2.5  
-
K/W  
K/W  
60  
1 Neglecting switching and reverse current losses  
September 1998  
1
Rev 1.300  
12345

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