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BYQ30EX-200

更新时间： 2024-11-14 22:07:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 52K
描述
Rectifier diodes ultrafast, rugged

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BYQ30EX-200 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.76应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：110 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.025 µs
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

BYQ30EX-200 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
ultrafast, rugged  
BYQ30EX series  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
VR = 150 V/ 200 V  
VF ≤ 0.95 V  
• Low forward volt drop  
• Fast switching  
• Soft recovery characteristic  
• Reverse surge capability  
• High thermal cycling performance  
• Isolated mounting tab  
a1  
1
a2  
3
IO(AV) = 16 A  
IRRM ≤ 0.2 A  
k
2
trr ≤ 25 ns  
GENERAL DESCRIPTION  
PINNING  
SOT186A  
Ultra-fast, epitaxial rectifier diodes  
intended for use as output rectifiers  
in high frequency switched mode  
power supplies.  
PIN  
DESCRIPTION  
anode 1  
cathode  
case  
1
2
The BYQ30EX series is supplied in  
the conventional leaded SOT186A  
package.  
3
anode 2  
isolated  
tab  
1
2
3
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN.  
MAX.  
UNIT  
BYQ30EX  
-150  
150  
150  
150  
-200  
200  
200  
200  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak repetitive reverse voltage  
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage  
-
-
-
V
V
V
IO(AV)  
IFRM  
IFSM  
Average rectified output current square wave  
-
-
16  
16  
A
A
(both diodes conducting)1  
δ = 0.5; Ths ≤ 59 ˚C  
Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;  
per diode  
Non-repetitive peak forward  
current per diode  
Ths ≤ 59 ˚C  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
-
-
100  
110  
A
A
sinusoidal; with reapplied  
VRWM(max)  
Repetitive peak reverse current tp = 2 µs; δ = 0.001  
IRRM  
IRSM  
-
-
0.2  
0.2  
A
A
per diode  
Non-repetitive peak reverse  
current per diode  
tp = 100 µs  
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
Operating junction temperature  
-40  
-
150  
150  
˚C  
˚C  
ESD LIMITING VALUE  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VC  
Electrostatic discharge  
capacitor voltage  
Human body model;  
C = 250 pF; R = 1.5 kΩ  
-
8
kV  
1 Neglecting switching and reverse current losses.  
October 1998  
1
Rev 1.200  
123456

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