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BYQ28X

更新时间： 2024-11-10 22:09:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管
页数 文件大小 规格书
6页 50K
描述
Rectifier diodes ultrafast

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BYQ28X 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.63
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：2
端子数量：3最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.02 µs
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

BYQ28X 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
ultrafast  
BYQ28X series  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Glass passivated dual epitaxial  
rectifier diodes in a full pack plastic  
envelope, featuring low forward  
voltage drop, ultra-fast recovery  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX. MAX. MAX. UNIT  
BYQ28X-  
100  
100  
150  
150  
200  
200  
VRRM  
Repetitive peak reverse  
voltage  
Forward voltage  
Output current (both  
diodes conducting)  
Reverse recovery time  
V
times  
and  
soft  
recovery  
characteristic. They are intended for  
usein switchedmode power supplies  
and high frequency circuits in general  
where low conduction and switching  
losses are essential.  
VF  
IO(AV)  
0.895 0.895 0.895  
V
A
10  
10  
10  
trr  
25  
25  
25  
ns  
PINNING - SOT186A  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
anode 1 (a)  
case  
a1  
1
a2  
3
2
cathode (k)  
anode 2 (a)  
3
k
2
case isolated  
1
2 3  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
-100  
100  
100  
100  
-150  
150  
150  
150  
-200  
200  
200  
200  
VRRM  
VRWM  
VR  
Repetitive peak reverse voltage  
-
-
-
V
V
V
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage1  
IO(AV)  
Output current (both diodes  
conducting)2  
square wave  
-
10  
A
δ = 0.5; Ths ≤ 92 ˚C  
sinusoidal  
-
9
A
a = 1.57; Ths ≤ 95 ˚C  
IO(RMS)  
IFRM  
RMS forward current  
-
-
14  
10  
A
A
Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;  
per diode  
Ths ≤ 92 ˚C  
IFSM  
Non-repetitive peak forward  
current per diode  
t = 10 ms  
-
-
50  
55  
A
A
t = 8.3 ms  
sinusoidal; with reapplied  
VRWM(max)  
I2t  
Tstg  
Tj  
I2t for fusing  
Storage temperature  
Operating junction temperature  
t = 10 ms  
-
-40  
-
12.5  
150  
150  
A2s  
˚C  
˚C  
1 Ths ≤ 148˚C for thermal stability.  
2 Neglecting switching and reverse current losses  
August 1996  
1
Rev 1.000  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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