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BYQ30EB-100

更新时间： 2024-09-27 22:07:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 52K
描述
Rectifier diodes ultrafast, rugged

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BYQ30EB-100 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.84应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：110 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最大输出电流：16 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.025 µs
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

BYQ30EB-100 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
ultrafast, rugged  
BYQ30EB series  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Glass passivated high efficiency  
rugged dual rectifier diodes in a  
plastic envelope suitable for surface  
mounting, featuring low forward  
voltage drop, ultra-fast recovery  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX. MAX. MAX. UNIT  
BYQ30EB-  
100  
100  
150  
150  
200  
200  
VRRM  
Repetitive peak reverse  
voltage  
V
times  
and  
soft  
recovery  
VF  
IO(AV)  
Forward voltage  
0.95  
16  
0.95  
16  
0.95  
16  
V
A
characteristic. These devices can  
withstand reverse voltage transients  
and have guaranteed reverse surge  
and ESD capability. They are  
intended for use in switched mode  
power supplies and high frequency  
circuits in general where low  
conduction and switching losses are  
essential.  
Output current (both  
diodes conducting)  
Reverse recovery time  
Repetitive peak reverse  
current per diode  
trr  
IRRM  
25  
0.2  
25  
0.2  
25  
0.2  
ns  
A
PINNING - SOT404  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
no connection  
mb  
k
tab  
a
3
2
cathode  
anode  
3
2
mb cathode  
1
3
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
-100  
100  
100  
100  
-150  
150  
150  
150  
-200  
200  
200  
200  
VRRM  
VRWM  
VR  
Repetitive peak reverse voltage  
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage  
-
-
-
V
V
V
IO(AV)  
Output current (both diodes  
square wave  
-
16  
A
conducting)1  
δ = 0.5; Tmb ≤ 104 ˚C  
IO(RMS)  
IFRM  
RMS forward current  
-
-
23  
16  
A
A
Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;  
per diode  
Tmb ≤ 104 ˚C  
IFSM  
Non-repetitive peak forward  
current per diode  
t = 10 ms  
-
-
100  
110  
A
A
t = 8.3 ms  
sinusoidal; with reapplied  
VRWM(max)  
I2t  
IRRM  
I2t for fusing  
t = 10 ms  
-
-
50  
0.2  
A2s  
A
Repetitive peak reverse current tp = 2 µs; δ = 0.001  
per diode  
IRSM  
Non-repetitive peak reverse  
current per diode  
tp = 100 µs  
-
0.2  
A
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
-40  
-
150  
150  
˚C  
˚C  
Operating junction temperature  
1 Neglecting switching and reverse current losses.  
October 1997  
1
Rev 1.000  
123456

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