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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.37 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 400 V | 最大反向恢复时间： | 3 µs |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYD11J | NXP |
获取价格 |
Controlled avalanche rectifiers |
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| BYD11J113 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.37 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BYD11J133 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.37 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BYD11J143 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.37 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BYD11JT/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BYD11JT/R | PHILIPS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 600V V(RRM), |
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| BYD11K | NXP |
获取价格 |
Controlled avalanche rectifiers |
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| BYD11K113 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.37 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BYD11K133 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.37 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BYD11K143 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.37 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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