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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYD11DT/R | PHILIPS |
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DIODE 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BYD11G | NXP |
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Controlled avalanche rectifiers |
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| BYD11G113 | NXP |
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DIODE 0.37 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BYD11G133 | NXP |
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DIODE 0.37 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BYD11G143 | NXP |
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DIODE 0.37 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BYD11J | NXP |
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Controlled avalanche rectifiers |
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| BYD11J113 | NXP |
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DIODE 0.37 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BYD11J133 | NXP |
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DIODE 0.37 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BYD11J143 | NXP |
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DIODE 0.37 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BYD11JT/R | NXP |
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DIODE 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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