5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.5 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | IEC-134 | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 最大反向恢复时间： | 3 µs | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYD11D113 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.37 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BYD11D133 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.37 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BYD11D143 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.37 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BYD11DT/R | PHILIPS |
获取价格 |
DIODE 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BYD11G | NXP |
获取价格 |
Controlled avalanche rectifiers |
|
| BYD11G113 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.37 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BYD11G133 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.37 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BYD11G143 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.37 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BYD11J | NXP |
获取价格 |
Controlled avalanche rectifiers |
|
| BYD11J113 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.37 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
