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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.76 |
| 其他特性： | LOW LEAKAGE CURRENT | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 0.85 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.01 µs | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYD1100,115 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.85 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode |
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| BYD1100A | EIC |
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Rectifier Diode, |
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| BYD11D | NXP |
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Controlled avalanche rectifiers |
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| BYD11D113 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.37 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BYD11D133 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.37 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BYD11D143 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.37 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BYD11DT/R | PHILIPS |
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DIODE 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BYD11G | NXP |
获取价格 |
Controlled avalanche rectifiers |
|
| BYD11G113 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.37 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BYD11G133 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.37 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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